Головна / Наукові праці Матюшина Володимира Михайловича

Наукові праці Матюшина Володимира Михайловича

2025 рік

  • Abramenko, L. O. Absorption of electromagnetic radiation by an ordered composite based on a cubic lattice of metallic nanodimers [Text] / L. O. Abramenko, V. M. Matiushyn, A.V. Korotun // Functional Materials. – 2025. – V. 32. – No. 1. – P. 21–27.

2024 рік

2023 рік

2022 рік

2021 рік

2020 рік

2019 рік

2018 рік

2017 рік

2016 рік

2015 рік

2014 рік

2013 рік

2012 рік

2011 рік

2010 рік

  • Жавжаров Є. Л. Вплив атомарного водню на структури метал – напівпровідник. адгезія тонких металевих плівок // Жавжаров Є. Л., Матюшин В. М. / Радіоелектроніка, інформатика, управління. 2(23), 2010. c.32-37.
  • Матюшин В. М. Вплив атомарного водню на структури метал – напівпровідник. вольт-амперні характеристики // Матюшин В. М., Жавжаров Є. Л. / Радіоелектроніка, інформатика, управління. 2(23), 2010. c.37-42.
  • Матюшин В.М. Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «Металл – полупроводник» // Матюшин В. М., Жавжаров Е. Л. Texнoлогия и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, N 6. С.44-48.

2009 рік

2008 рік

  • Жавжаров Є.Л. Модифікація параметрів тонких плівок міді під дією атомарного водню /Є.Л.Жавжаров, Н.А.Антонченко, В.М.Матюшин //Вісник Львів. ун-ту. Серія фізична.- 2008. – Вип.42.- С.39-46.

2007 рік

  • Жавжаров Е.Л. Низкотемпературная кристаллизация тонких пленок Ni под воздействием атомарного водорода /Е.Л.Жавжаров, Г.А.Бялик, В.М.Матюшин //Письма в журнал технической физики.- 2007. – Т. 33. – Вып.13. – С. 64-71.

2006 рік

  • Жавжаров Е.Л. Воздействие атомарного водорода на тонкие пленки Ni /Е.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.- 2006. – №8. – С. 75-79.
  • Жавжаров Е.Л. Низкотемпературная модификация медных пленок под воздействием атомарного водорода /Е.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин //Технология и конструирование в радиоэлектронной аппаратуре.- 2006. – №1(61). – C.50-53.
  • Жавжаров Є.Л. Модифікація тонких металевих плівок під дією атомів водню /Є.Л.Жавжаров, Г.А.Бялік, В.М.Матюшин //Нові матеріали і технології в металургії та машинобудуванні.- 2006. – № 2.- С. 23-27.
  • Жавжаров Е.Л. Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью кремния /Е.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин //Технология и конструирование в радиоэлектронной аппаратуре.- 2006. – №4(64). – C.61-64.

2005 рік

  • Е.Л.Жавжаров В.М. Матюшин Вплив атомарного водню на поверхню та приповерхневі шари кристалів германію // УФЖ.-2005.-Т.50.-№1 .-С.53-57.
  • Жавжаров Є.Л. Вплив атомарного водню на поверхню та при поверхневі шари кристалів германію /Е.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин //Український фізичний журнал.- 2005. – Т. 50. – №1. – С.53-57.

2004 рік

  • В.М. Матюшин Влияние атомарного водорода на процессы массопереноса из тонких металлических пленок в системах с ограниченной растворимостью // Автореферат дис. На здобуття наук.ступеня д-ра фіз.-матем. наук, 2004
  • В.М. Матюшин Влияние атомарного водорода на процессы массопереноса из тонких металлических пленок в системах с ограниченной растворимостью // Дис. на соискание научной степени д-ра физ.-матем. наук по спец. 01.04.13 “Физика ме-таллов”, 2004
  • Жавжаров Е.Л. Воздействие атомарного водорода на свойства кристаллов элементарных полупроводников /Е.Л.Жавжаров, В.М.Матюшин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.- 2004. – №12. – С.36-39.

2003 рік

  • V.M.Matyushm, R.V.Martinuk Gold injection into germanium occurring during hydrogen atom recombination // Vacuum.-2003 -V 68.-Р 269-273.
  • Е.Л. Жавжаров, В.М. Матюшин Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью n-германия // Труды XVI междунар. конф. “Взаимодействие ионов с поверхностью”.-Т.2.- М.: МИФИ.-2003 .-С.362-365.
  • В.П.Шаповалов, В.М.Матюшин Дослідження впливу атомарного водню на поверхню і об’єми кристалів напівпровідників, р-n-переходів і гетероструктур на їх основі // Заключний звіт про науководослідну роботу. Шифр НДР: ДБ 06111. Запоріжжя, 2003
  • В.М.Матюшин, Р.В.Мартинюк Спосіб виготовлення напівпровідникових структур. // Пат. 54007А, Україна. МПКН01L21/00, Н01L21/22.- ).-№2002043175; Заявл. 18.04.2002; Опубл. 18.11.2003.- Бюл.№2.- 3 с.
  • Е.Л. Жавжаров, В.М. Матюшин Воздействие атомарного водорода на свойства кристаллов элементарных полупроводников // Поверхность.-200412 .-С.36-39.

2002 рік

  • В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, Р.В.Мартинюк Воздействие атомарного водорода на структуру металл-полупроводник // Изв. РАН.- Сер Физическая 2002.-T.66.-Xe8.-C.1212-1214.

2001 рік

  • В.Л.Татаринов, В.М.Матюшин Спосіб одержання монокристале-вих тонких плівок. // Пат 35139А, Україна, МІЖ 6Н01Ь21/20від 15.03.2001.-№99084746.- Заявл. 20.08.1999; Опубл. 15.03.2001.-Бюл^Го2.-3 с.
  • В.М. Матюшин Низкотемпературная диффузия индия в германии, стимулированная атомарным водородом // Физика и техника полуп-ро¬водников.- 2001.-Т.35.-В.З.-С.301-304.
  • V.M. Matyushin Low-Temperature Diffusion of Indium into Germanium Assisted by Atomic Hydrogen // Semiconductors.-2001 .- Vol.35.-N3.-P.287-290.
  • В.И.Татаринов, В.М.Матюшин Исследование воздействия атомарного водорода на поликристаллические тонкие слои кремния // Поверхность.- 2О01.-№5.-СЛ07-110.
  • В.М.Матюшин, М.В.Матюшин, В.В.Савин Распыление пленок индия в среде атомарного водорода // Журнал физической хи-мии-2001 .-Т.75 .-№7.-С. 1291 -1294.
  • V.M.Matyushin, R.V.Martynyuk Influence of defect generation on low-temperature diffusion of AU in Ge under the influence of atomic hydrogen // Functional Material.- 2001 Vol.8.-N2.- Р.401-403.
  • В.М.Матюшин, Р.В.Мартинюк Влияние процессов дефектообразования на протекание гетеродиффузии, стимулированной воздействием атомов водорода // Вестник ДГУ, серия “Физика. Радиоэлектроника”.- 2001.-№7.-С.34-38.
  • Matyushin V.M., Matiu shin M.V. Savin V.V. Atomization of indium films under the action of atomic hydrogen // Russian Journal of Physical Chemistry, 2001.-V.75.-N7-P.l 182-1184.

2000 рік

  • В.И.Татаринов, В.М.Матюшин Влияние атомарного водорода на структуру поликристалли-ческих тонких пленок кремния // Известия РАН, серия физическая.-2000.-Т.64- №4.-С.745-748.
  • В.М.Матюшин, И.В.Бондарев, Д.М. Белоус Стимулирование диффузии меди в германии под воздействием атомов водорода // Физика и химия обработки материалов.-2000.- №3.-С.72-75.

1999 рік

  • В.М. Матюшин, В.М.Матюшин Ускорение диффу-зионных процес¬сов в твердых телах-катализаторах при протекании на их поверхности экзотермической реакции. // УХЖ, Т.65, №4, 1999. с. 100-104
  • В.М. Матюшин Низкотемпературная диффузия золота в германии под воздействием атомарного водорода. // ЖТФ.Т.69,в7, С.73-76, 1999
  • В.М. Матюшин Низькотемпературна стимульована дифузія золота у германії під впливом атомарного водню. УФЖ, 1999, Т.44,№9
  • В.М. Матюшин, I.В.Бондарєв Дослідження хемостимульованої гетеродифузії на прикладі системи мідь-германій. Вісник Державного уні-вер¬ситету «Львівська політехніка» Елементи теорії та теорії твердотільної електроніки, 1999.-№362.-С.58-61.
  • В.М. Матюшин, И.В.Бондарев, Д.М. Белоус Водородостимулированная диффузия меди в германии Вестник ДГУ, серия “Физика, радиоэлектроника” .-1999.-№5.-С.70-76.
  • В.М. Матюшин Низькотемпературна стимульована дифузія золота у германій під впливом атомів водню // Український фізичний журнал.-1999.-Т.44.- ]&9.-С.П 19-1122.
  • В.М. Матюшин Низкотемпературная диффузия серебра в германии, стимулированная воздействием атомов водорода // Поверхность.-2000 – №6.-С59-62.

1998 рік

1997 рік

  • В.М. Матюшин, A.R.Koshman, V.P.Shapovalov, A.V.Tomashevski, V.M.Matyushin, A.I.Ryabhuk Dependence of the trap stale den¬sity of Si-Si02 Interface treated by atomic hydrogen. // Functional Materials 4, №3, 1997 р.45-46
  • В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, А.В.Томашевский, А.И.Рябчук, В.А.Шаровский Дослідження впливу атомарного водню підвищення міцності p-n- переходів і межу розділу кремнійдіоксид кремнію // Заключительный отчет по теме ГБ061.15 Запорожье, 1997

1996 рік

  • В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, А.Р.Кошман Low temperature diffusion in semi-conductors caused by atomic Hy¬drogen stimulation. // Int I. Hydrogen Energy, Vol 1996

1995 рік

1994 рік

  • В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, А.В.Томашевский // Исследование воздействия атомных частиц с поверхностью полупроводников. // Заключительный Отчет по ГБ 61.12 Запорожье, 1994 Р№1000320р

1993 рік

  • В.М. Матюшин, V.P.Shapovalov, SvD.Tochilin Investigation of the influence of atomic hydrogen on germanium crystal morhology. // Vacuum 1993
  • В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, А.В.Томашевский Использование взаимодействия атомарного водорода с поверхностью кремниевых и германиевых структур. // Отчет по ГБИ. 12 Запорожье 1993

1992 рік

1991 рік

1990 рік

  • В.М. Матюшин, А.А.Коваль Изменение структуры кристаллической решетки германия при легировании серебром под воздействием атомарного водорода. // Научно-техническая конференция студентов. Москва, МИРЭЛ 1990

1989 рік

1988 рік

  • В.М. Матюшин, В.И.Лищенко, А.Л.Горбань Низкотемпературная хемостимулированная диффузия никеля в германии под воздействием атомов водорода. // УФЖ, 32,№9, с.1407-1410
  • В.М. Матюшин, В.П.Шаповалов, Л.П.Корнич Исследование влияние фоновых примесей металлов в тонких пленках окисла для БИС // Отчет по НИР. Запорожье 1988, №01870092868

1987 рік

  • В.М. Матюшин, Л.П.Корнич, Е.Г.Тягушева, В.И. Лищенко Исследование фоновых и легирующих примесей в кремниевых структурах на различных этапах изготовления ИС. // Отчет о НИР Запо-рожье 1987. №01860064702

1986 рік

  • В.М. Матюшин, А.Н.Горбань, В.Г.Корнич, Л.П.Корнич, В.А.Пинчук, Ю.А.Швец, О.Г.Брик, М.А.Игнакина Исследование процессов, сопровождающих взаимодействие полупроводников с атомарными газами. // Депонировано в ВИНИТИ №02860102046, Запорожье ЗМИ, 1986

1985 рік

  • В.М. Матюшин, А.В. Горбань, Л.П.Корнич, Ю.А.Швец Совершенствование технологи¬ческого процесса отчистки кремниевых пластин с использованием продуктов образующие плазмофреон. // Отчет по НИР. Запорожье, 1985

1984 рік

  • В.М. Матюшин, А.П.Горбань, Л.П.Корнич, Е.Г.Тятушева, А.В.Богатков Разработать технологию отчистки поверхности кремниевых пластин в атмосфере активных газов // Отчет по НИР. Запорожье, 1984

1983 рік

  • В.М. Матюшин, Л.П.Корнич, Е.Г.Тятушева, А.В.Богатков Разработать методику и установку для исследования поверхности полупроводниковых кристаллов по работе выхода (КРП) // Отчет по НИР Запорожье, 1983

1982 рік

  • В.М. Матюшин Низкотемпературная хемостимулированная гетеродиффузия в германии // Для кандидата физ. мат. наук.-Запорожье, 1982
  • В.М. Матюшин Низкотемпературная хемостимулированная гетеродиффузия в германии // Автореферат для кан-дида¬та физ. мат. на-ук.- Донецк, 1982
  • В.М. Матюшин, Л.П.Корнич, Е.П.Тягушева Разработка методов плазмохимического травления. Отчистка поверхности кремниевых пластин на разных этапах технологического процесса изготовления ИС. // Отчет по НИР. 1982

1981 рік

1980 рік

  • В.М. Матюшин, А.Н.Горбань, В.П.Пинчук Гетеродиффузия в германии, стимулированная рекомбинацией по его поверхности атома водорода. // Укр. Физ. Журнал Т.25, №3. 1980(фахове видання)
  • В.М. Матюшин, А.Н.Горбань Низкотемпературная хемостимулированная диффузия меди в германии // Письма в ЖТФ Т.6, в.8.1980

Монографії

  1. Матюшин В.М., Жавжаров Є.Л. Монографія «Радикалорекомбінаційна обробка мікроструктур», Запоріжжя: ЗНТУ.-2011, 190 с.

Навчальний посібник

  1. Навчальний  посібник «Основи метрології» обсягом 120 стор. автори Ігнаткін В. У., Томашевський О.В, Матюшин В.М. «Основи метрології» обсягом 120 стор. автори Ігнаткін В. У., Томашевський О.В, Матюшин В.М. — Запоріжжя: Запорізький національний технічний університет, — 2017. —  208 с.

Патенти

  1. Спосіб поліпшення адгезії металевих плівок до напівпровідникових та діелектричних підшарків /В.М.Матюшин Є.Л.Жавжаров, Д.О.Полєха.- Заявка №200500530 UA, МКИ7 С23С14/58, С23е14/18, опубл. 15.08.2005, Бюл. №8, 2005 р.
  2. Патент на корисну модель № 40096, Україна. Спосіб виготовлення тонкоплівкових тензоелементів /В.М.Матюшин Є.Л.Жавжаров, Н.А.Антонченко.- Заявник і патентовласник Запорізький національний технічний університет.- Заявка № u200812317, опубл. 25.03.2009, Бюл. № 6.

Авторські свідоцтва

  1. Авторское свидетельство №687979 / А.С.№ 687979. Тестовая ячейка. //В.М. Матюшин, В.А.Торезонин, Е.Г.Завелец, Б.П.Кострица, Ю. А .Ясинский
  2. Авторское свидетельство №733482 / А.С-№733482. Тестовая полупроводниковая структура. //В.М. Матюшин, В.А.Городокин, Е.Г.Завиец, Ю. А .Ясинский
  3. Авторское свидетельство №1308100, 1987 / Способ отчистки поверхности полупроводниковых пластин. //В.М. Матюшин, В.И.Думбров, А.Н.Горбань, Л.П.Корнич, Е.Г.Тягушева, В.И.Лищенко
  4. Авторское свидетельство №1688748, 1991 / Тестовая структура для определения относительного рассовмещения фотолитографических рисунков на полупроводниковой подложке. //В.М. Матюшин, В.В.Кравчина
  5. Авторское свидетельство №1688749, 1991 / Тестовая структура для определения относительного рассовмещения фотолитографических рисунков на подложке. //В.М. Матюшин, В.В.Кравчина
Фідбек щодо сайту